PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
PMDPB42UN,115 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
컨피규레이션：
2 N-Channel (Dual)
FET 피처：
Logic Level Gate
패키지 / 케이스：
6-UDFN Exposed Pad
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
3.9A
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
3.5nC @ 4.5V
공급업체 장치 패키지：
6-HUSON (2x2)
파워 - 최대：
510mW
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 3.9A, 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
185pF @ 10V
