PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
PMGD8000LN,115 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
컨피규레이션：
2 N-Channel (Dual)
FET 피처：
Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)：
30V
파워 - 최대：
200mW
패키지 / 케이스：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 100µA
공급업체 장치 패키지：
6-TSSOP
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
125mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
0.35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
18.5pF @ 5V
