PMWD19UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
PMWD19UN,518 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
컨피규레이션：
2 N-Channel (Dual)
FET 피처：
Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)：
30V
패키지 / 케이스：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급업체 장치 패키지：
8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id：
700mV @ 1mA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
5.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 3.5A, 4.5V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
1478pF @ 10V
파워 - 최대：
2.3W
