BUK661R6-30C118
N-CHANNEL POWER MOSFET
BUK661R6-30C118 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
10V
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс：
Automotive
Квалификация：
AEC-Q101
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30 V
Корпус：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (макс.)：
±16V
Поставщик Устройство Корпус：
D2PAK
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
120A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.8V @ 1mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
306W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
229 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
14964 pF @ 25 V
