BUK7Y25-80E/GFX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
BUK7Y25-80E/GFX Specifications
Статус детали：
Obsolete
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
10V
Vgs (макс.)：
±20V
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс：
Automotive
Квалификация：
AEC-Q101
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
1800 pF @ 25 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
39A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (макс.) при Id：
4V @ 1mA
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
95W (Tc)
Корпус：
SC-100, SOT-669
Поставщик Устройство Корпус：
LFPAK56, Power-SO8
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 10A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
25.9 nC @ 10 V
