BUK9E1R8-40E,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
BUK9E1R8-40E,127 Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Статус детали：
Active
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс：
Automotive
Квалификация：
AEC-Q101
Vgs (макс.)：
±10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
120A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус：
I2PAK
Корпус：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Напряжение сток-исток (Vdss)：
40 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
120 nC @ 5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
349W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.1V @ 1mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
16400 pF @ 25 V
