PMN27XPE115
SMALL SIGNAL FET
PMN27XPE115 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)：
20 V
Vgs (макс.)：
±12V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
4.4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
2.5V, 4.5V
Поставщик Устройство Корпус：
6-TSOP
Vgs(th) (макс.) при Id：
1.25V @ 250µA
Корпус：
SC-74, SOT-457
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 3A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
1770 pF @ 10 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
22.5 nC @ 4.5 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
530mW (Ta), 8.33W (Tc)
