PMPB16XN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
PMPB16XN,115 Specifications
Статус детали：
Obsolete
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id：
1.5V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30 V
Vgs (макс.)：
±12V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
7.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
2.5V, 4.5V
Корпус：
6-UDFN Exposed Pad
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
10.8 nC @ 4.5 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус：
6-DFN2020MD (2x2)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
21mOhm @ 7.2A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
775 pF @ 15 V
