PMT760EN,115
MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
PMT760EN,115 Specifications
Статус детали：
Obsolete
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
100 V
Vgs (макс.)：
±20V
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.5V @ 250µA
Корпус：
TO-261-4, TO-261AA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
900mA (Ta)
Поставщик Устройство Корпус：
SC-73
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
3 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
950mOhm @ 800mA, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
160 pF @ 80 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
800mW (Ta), 6.2W (Tc)
