PMZB600UNE315
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
PMZB600UNE315 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
600mA (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
20 V
Vgs (макс.)：
±8V
Vgs(th) (макс.) при Id：
950mV @ 250µA
Корпус：
SC-101, SOT-883
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
0.7 nC @ 4.5 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
1.2V, 4.5V
Поставщик Устройство Корпус：
DFN1006B-3
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
620mOhm @ 600mA, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
21.3 pF @ 10 V
