PSMN1R9-40PL127
N-CHANNEL POWER MOSFET
PSMN1R9-40PL127 Specifications
Тип монтажа：
Through Hole
Статус детали：
Active
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)：
±20V
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус：
TO-220AB
Корпус：
TO-220-3
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)：
40 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
230 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
13200 pF @ 25 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.1V @ 1mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
150A (Ta)
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
349W (Ta)
