A5G21H605W19NR3

RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4

A5G21H605W19NR3
部件编号:
A5G21H605W19NR3
制造商:
NXP USA Inc.
描述:
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
RoHS:
YES
数据表:
PDF
制造商标准交期:
待定
标准包装数量:
250

A5G21H605W19NR3 规格

零件状态:
Active
安装类型:
Surface Mount
等级:
-
认证:
-
额定电流(安培):
-
配置:
-
噪声系数:
-
增益:
15.1dB
额定电压:
125 V
电流 - 测试:
300 mA
功率 - 输出:
85W
电压 - 测试:
48 V
技术:
GaN
频率:
2.11GHz ~ 2.2GHz
封装 / 外壳:
OM-780-4S4S
供应商器件封装:
OM-780-4S4S

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