射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管

描述
A5G08H800W19NR3
数量
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A5G26H605W19NR3
数量
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A5G07H800W19NR3
数量
描述
A5G18H610W19NR3
数量
描述
A5G19H605W19NR3
数量
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RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
数量
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RF MOSFET GAN 48V 6DFN
数量
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RF MOSFET GAN 48V NI780
数量
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RF MOSFET
数量
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RF MOSFET LDMOS 52V NI1230
数量
A5G08H800W19NR3
数量
A5G26H605W19NR3
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A5G07H800W19NR3
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A5G18H610W19NR3
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A5G19H605W19NR3
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RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
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RF MOSFET GAN 48V 6DFN
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RF MOSFET GAN 48V NI780
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RF MOSFET
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RF MOSFET LDMOS 52V NI1230
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