PMDPB38UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
PMDPB38UNE,115 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性：
Logic Level Gate
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
4A
封装 / 外壳：
6-UDFN Exposed Pad
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
46mOhm @ 3A, 4.5V
供应商器件封装：
6-HUSON (2x2)
最大功率：
510mW
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
4.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
268pF @ 10V
