PMDPB95XNE2115
MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
PMDPB95XNE2115 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)：
30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
2.7A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1.25V @ 250µA
封装 / 外壳：
6-UDFN Exposed Pad
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
4.5nC @ 4.5V
供应商器件封装：
6-HUSON (2x2)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
99mOhm @ 2.8A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
258pF @ 15V
最大功率：
510mW (Ta), 8.33W (Tc)
