PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
PMDPB56XN,115 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1.5V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
FET Característica：
Logic Level Gate
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
3.1A
Paquete / Carcasa：
6-UDFN Exposed Pad
Proveedor Dispositivo Paquete：
6-HUSON (2x2)
Potencia - Máx：
510mW
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
170pF @ 15V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
73mOhm @ 3.1A, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
2.9nC @ 4.5V
