PMDPB95XNE,115
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
PMDPB95XNE,115 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1.5V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
FET Característica：
Logic Level Gate
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
2.4A
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
2.5nC @ 4.5V
Paquete / Carcasa：
6-UDFN Exposed Pad
Proveedor Dispositivo Paquete：
6-HUSON (2x2)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 2A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
143pF @ 15V
Potencia - Máx：
475mW
