PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
PMDPB65UP,115 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación：
150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1V @ 250µA
FET Característica：
Logic Level Gate
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
3.5A
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
6nC @ 4.5V
Paquete / Carcasa：
6-UDFN Exposed Pad
Potencia - Máx：
520mW
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
70mOhm @ 1A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
380pF @ 10V
Proveedor Dispositivo Paquete：
6-HUSON (2x2)
