A5G35H110NT4
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
A5G35H110NT4 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Courant nominal (A)：
-
Configuration：
-
Figure de Bruit：
-
Tension nominale：
125 V
Courant - Test：
70 mA
Tension - Test：
48 V
Gain：
15.3dB
Fréquence：
3.3GHz ~ 3.7GHz
Technologie：
GaN
Boîtier：
6-LDFN Exposed Pad
Fournisseur Dispositif Emballage：
6-PDFN (7x6.5)
Puissance - Sortie：
15.1W
