A5G35H120NT2
RF MOSFET GAN 48V 10DFN
A5G35H120NT2 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Courant nominal (A)：
-
Configuration：
-
Figure de Bruit：
-
Tension nominale：
125 V
Puissance - Sortie：
18W
Gain：
14.1dB
Courant - Test：
70 mA
Tension - Test：
48 V
Fréquence：
3.3GHz ~ 3.7GHz
Technologie：
GaN
Boîtier：
10-PowerLDFN
Fournisseur Dispositif Emballage：
10-DFN (7x10)
