MHTG1200HSR3
RF MOSFET GAN NI780
MHTG1200HSR3 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Tension nominale：
50 V
Type de montage：
Surface Mount
Courant nominal (A)：
-
Gain：
-
Figure de Bruit：
-
Fréquence：
2.4GHz ~ 2.5GHz
Puissance - Sortie：
300W
Boîtier：
NI-780S-4L
Fournisseur Dispositif Emballage：
NI-780S-4L
Technologie：
GaN
Configuration：
2 N-Channel
