PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
PSMN2R6-60PSQ Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Fournisseur Dispositif Emballage：
TO-220AB
Boîtier：
TO-220-3
Tension Drain-Source (Vdss)：
60 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
140 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
150A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
2.6mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
7629 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max)：
326W (Tc)
