PSMN7R8-120ESQ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
PSMN7R8-120ESQ Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Fournisseur Dispositif Emballage：
I2PAK
Boîtier：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Tension Drain-Source (Vdss)：
120 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
167 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)：
349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
7.9mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
9473 pF @ 60 V
