PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
PSMN2R6-60PSQ Specifications
実装タイプ：
Through Hole
部品ステータス：
Active
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-220AB
パッケージ / ケース：
TO-220-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
140 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
150A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
2.6mOhm @ 25A, 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
7629 pF @ 25 V
最大消費電力：
326W (Tc)
