PSMN7R8-120ESQ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
PSMN7R8-120ESQ Specifications
実装タイプ：
Through Hole
部品ステータス：
Active
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
サプライヤーデバイスパッケージ：
I2PAK
パッケージ / ケース：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
120 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
167 nC @ 10 V
最大消費電力：
349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
7.9mOhm @ 25A, 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
9473 pF @ 60 V
