PSMN8R5-100ESQ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PSMN8R5-100ESQ Specifications
実装タイプ：
Through Hole
部品ステータス：
Active
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
サプライヤーデバイスパッケージ：
I2PAK
パッケージ / ケース：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
最大消費電力：
263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 25A, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
111 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
100A (Tj)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
5512 pF @ 50 V
