A3G23H500W17SR3
RF MOSFET GAN 48V NI780
A3G23H500W17SR3 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Chassis Mount
额定电流（安培）：
-
噪声系数：
-
额定电压：
125 V
电流 - 测试：
300 mA
功率 - 输出：
80W
增益：
14.3dB
频率：
2.3GHz ~ 2.4GHz
电压 - 测试：
48 V
技术：
GaN
配置：
2 N-Channel
封装 / 外壳：
NI-780-4S2S
供应商器件封装：
NI-780-4S2S
