A3G26H200W17SR3
RF MOSFET GAN 48V NI780
A3G26H200W17SR3 规格
零件状态：
Obsolete
额定电流（安培）：
-
配置：
-
噪声系数：
-
额定电压：
125 V
增益：
14.2dB
电压 - 测试：
48 V
功率 - 输出：
34W
电流 - 测试：
120 mA
技术：
GaN
频率：
2.496GHz ~ 2.69GHz
封装 / 外壳：
NI-780S-4S2S
供应商器件封装：
NI-780S-4S2S
