A3G26H502W17SR3
RF MOSFET GAN 48V NI780
A3G26H502W17SR3 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Chassis Mount
额定电流（安培）：
-
噪声系数：
-
额定电压：
125 V
增益：
13.1dB
功率 - 输出：
80W
电压 - 测试：
48 V
技术：
GaN
频率：
2.496GHz ~ 2.69GHz
电流 - 测试：
370 mA
配置：
2 N-Channel
封装 / 外壳：
NI-780-4S2S
供应商器件封装：
NI-780-4S2S
