A5G35H120NT2
RF MOSFET GAN 48V 10DFN
A5G35H120NT2 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
额定电流（安培）：
-
配置：
-
噪声系数：
-
额定电压：
125 V
功率 - 输出：
18W
增益：
14.1dB
电流 - 测试：
70 mA
电压 - 测试：
48 V
频率：
3.3GHz ~ 3.7GHz
技术：
GaN
封装 / 外壳：
10-PowerLDFN
供应商器件封装：
10-DFN (7x10)
