AFT26HW050GSR3-NXP
RF MOSFET
AFT26HW050GSR3-NXP 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
噪声系数：
-
额定电压：
65 V
电压 - 测试：
28 V
电流 - 测试：
100 mA
功率 - 输出：
9W
额定电流（安培）：
1µA
增益：
14.2dB
封装 / 外壳：
NI-780S-4L4L-8
供应商器件封装：
NI-780S-4L4L-8
频率：
2.496GHz ~ 2.69GHz
技术：
LDMOS (Dual)
配置：
2 N-Channel
