MHTG1200HSR3
RF MOSFET GAN NI780
MHTG1200HSR3 规格
零件状态：
Obsolete
额定电压：
50 V
安装类型：
Surface Mount
额定电流（安培）：
-
增益：
-
噪声系数：
-
频率：
2.4GHz ~ 2.5GHz
功率 - 输出：
300W
封装 / 外壳：
NI-780S-4L
供应商器件封装：
NI-780S-4L
技术：
GaN
配置：
2 N-Channel
