PMCM6501VNEZ
PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
PMCM6501VNEZ 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
7.3A (Ta)
最大栅源电压：
±8V
漏极至源极电压 (Vdss)：
12 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
24 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
900mV @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
1.5V, 4.5V
封装 / 外壳：
6-XFBGA, WLCSP
最大功耗：
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
供应商器件封装：
6-WLCSP (1.48x0.98)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
18mOhm @ 3A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
920 pF @ 6 V
