PSMN8R5-100ESQ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PSMN8R5-100ESQ 规格
安装类型：
Through Hole
零件状态：
Active
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
10V
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
供应商器件封装：
I2PAK
封装 / 外壳：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4V @ 1mA
最大功耗：
263W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
8.5mOhm @ 25A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
111 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
100A (Tj)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
5512 pF @ 50 V
