PSMN020-30MLCX
TRANSISTOR >30MHZ
PSMN020-30MLCX 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)：
30 V
最大功耗：
33W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
9.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
430 pF @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1.95V @ 1mA
供应商器件封装：
LFPAK33
封装 / 外壳：
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
31.8A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
18.1mOhm @ 5A, 10V
