PMWD20XN,118
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
PMWD20XN,118 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1.5V @ 1mA
漏极至源极电压 (Vdss)：
20V
配置：
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性：
Logic Level Gate
封装 / 外壳：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装：
8-TSSOP
最大功率：
4.2W
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
10.4A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
22mOhm @ 4.2A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
11.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
740pF @ 16V
