PMWD26UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
PMWD26UN,518 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)：
20V
配置：
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性：
Logic Level Gate
封装 / 外壳：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装：
8-TSSOP
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
7.8A
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
700mV @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
23.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1366pF @ 16V
最大功率：
3.1W
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
30mOhm @ 3.5A, 4.5V
