SI9936DY,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO
SI9936DY,518 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
封装 / 外壳：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装：
8-SO
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性：
Logic Level Gate
漏极至源极电压 (Vdss)：
30V
最大功率：
900mW
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
5A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
50mOhm @ 5A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
-
