PMWD26UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
PMWD26UN,518 Specifications
Estado de la Pieza：
Obsolete
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20V
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
FET Característica：
Logic Level Gate
Paquete / Carcasa：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Proveedor Dispositivo Paquete：
8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
7.8A
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
700mV @ 1mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
23.6nC @ 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1366pF @ 16V
Potencia - Máx：
3.1W
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 3.5A, 4.5V
