BUK661R6-30C118
N-CHANNEL POWER MOSFET
BUK661R6-30C118 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Tension Drain-Source (Vdss)：
30 V
Boîtier：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)：
±16V
Fournisseur Dispositif Emballage：
D2PAK
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (Max)：
306W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
229 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
14964 pF @ 25 V
