BUK7Y25-80E/GFX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
BUK7Y25-80E/GFX Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1800 pF @ 25 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
39A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Dissipation de puissance (Max)：
95W (Tc)
Boîtier：
SC-100, SOT-669
Fournisseur Dispositif Emballage：
LFPAK56, Power-SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 10A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
25.9 nC @ 10 V
