BUK9E1R8-40E,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
BUK9E1R8-40E,127 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Vgs (Max)：
±10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage：
I2PAK
Boîtier：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tension Drain-Source (Vdss)：
40 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
120 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (Max)：
349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
16400 pF @ 25 V
