PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
PHN210,118 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Boîtier：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fournisseur Dispositif Emballage：
8-SO
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-65°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max：
2W
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Tension Drain-Source (Vdss)：
30V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
250pF @ 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
6nC @ 10V
