PMDPB38UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
PMDPB38UNE,115 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
4A
Boîtier：
6-UDFN Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
46mOhm @ 3A, 4.5V
Fournisseur Dispositif Emballage：
6-HUSON (2x2)
Puissance - Max：
510mW
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
4.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
268pF @ 10V
