PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
PMDPB56XN,115 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Tension Drain-Source (Vdss)：
30V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
3.1A
Boîtier：
6-UDFN Exposed Pad
Fournisseur Dispositif Emballage：
6-HUSON (2x2)
Puissance - Max：
510mW
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
170pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
73mOhm @ 3.1A, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
2.9nC @ 4.5V
