PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
PMDPB65UP,115 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Configuration：
2 P-Channel (Dual)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
3.5A
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
6nC @ 4.5V
Boîtier：
6-UDFN Exposed Pad
Puissance - Max：
520mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
70mOhm @ 1A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
380pF @ 10V
Fournisseur Dispositif Emballage：
6-HUSON (2x2)
