PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
PMGD8000LN,115 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Tension Drain-Source (Vdss)：
30V
Puissance - Max：
200mW
Boîtier：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 100µA
Fournisseur Dispositif Emballage：
6-TSSOP
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
125mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
0.35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
18.5pF @ 5V
