PMPB12UN,115
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
PMPB12UN,115 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Tension Drain-Source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±8V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
1.8V, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 4.5 V
Boîtier：
6-UDFN Exposed Pad
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
886 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)：
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage：
6-DFN2020MD (2x2)
