PMT200EN,135
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PMT200EN,135 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)：
100 V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Boîtier：
TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
235mOhm @ 1.5A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage：
SC-73
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
475 pF @ 80 V
Dissipation de puissance (Max)：
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
