PMV65XPEA215
P-CHANNEL MOSFET
PMV65XPEA215 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Boîtier：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET：
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±12V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
2.5V, 4.5V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
2.8A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.25V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
9 nC @ 4.5 V
Fournisseur Dispositif Emballage：
TO-236AB
Dissipation de puissance (Max)：
480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
618 pF @ 10 V
